Des chercheurs inventent un nouveau type de transistors en silicène

Et ouvrent une nouvelle porte au monde électronique

Le transistor a été depuis des années une invention très importante pour le monde électronique. Depuis sa conception en 1947, sa présence dans les équipements n’a fait que croître pour s’imposer définitivement à partir des années 1950.

Tous les biens électroniques en sont pourvus. Et c’est à juste titre que les chercheurs de la compagnie Bell Téléphone se sont vus décerner le prix Nobel de physique pour cette découverte. Son importance, qui n’est plus à prouver, réside dans le fait qu’il est capable d’amplifier un signal électrique (tension, courant, puissance) ou commander ce dernier en laissant passer ou en coupant l’arrivée du signal. Cela est très ingénieux, car à partir de ce point on peut avoir un contrôle total sur l’intensité du signal entrant et sortant dans l’objet qui le reçoit.

Jusqu’alors, on a assisté à des améliorations sans noter de modifications substantielles. Mais c’était sans compter sur le travail acharné d’un groupe de chercheurs de la Cockrell School of Engineering de l'université du Texas. En effet, ces derniers ont récemment réussi à créer un transistor à base de silicène.
Il faut préciser que le silicène est une fine couche d’atome de silicium artificiellement synthétisé. Il est très proche du graphène ce qui sous-entend qu’il intègre de facto les propriétés de conductivité du silicium qui est utilisé pour la fabrication des puces électroniques et devrait en théorie inclure également celles du graphène dont les caractéristiques font montre d’un déplacement des signaux à une vitesse très importante.

Pour obtenir ce nouveau composant, le professeur assistant Deji Akinwande de l’université du Texas et son équipe ont dû solliciter l’expertise d’Alessandro Molle de l’Institute for Microelectronics and Microsystems d'Agrate Brianza en Italie, afin de développer une nouvelle méthode de fabrication du silicène, car celui-ci est très instable lorsqu’il est exposé à l’air. Pour ce faire, ils ont laissé une vapeur d’atomes de silicium se condenser sur un bloc cristallin d’argent dans une chambre à vide. Une fois la feuille de silicène obtenue sur ce dernier, une couche nanométrique d’alumine a été ajoutée au-dessus. Ils ont ensuite enlevé les couches de protection et ont posé le tout sur un substrat de dioxyde de silicium. En ôtant la couche d’argent, ils ont pu obtenir deux électrodes avec une bande de silicène au milieu.

Cette expérience qui à première vue semble assez simple représente aujourd’hui une avancée majeure dans le monde de l’électronique surtout pour la vitesse des puces d’ordinateurs, mais également la miniaturisation des composants électroniques.

Source : The university of Texas at Austin

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