Les scientifiques de la firme ont conçu une nouvelle façon de faire fonctionner les puces. « Nous utilisons de faibles courants d'ions chargés pour modifier l'état de la matière de ce matériau oxyde » explique Stuart Parkin, le responsable de ce projet pour le compte d’IBM.
« C'est un moyen de construire des appareils basse consommation et très performants. » poursuit-il.
La firme explique qu’elle s’est inspirée de la façon dont le cerveau traite les informations et espère construire plus d’appareils obéissant au même procédé.
Le schéma présente un circuit nano fluidique qui fonctionne en faisant passer le fluide vert ionique à travers des conduits fabriqués sur le dessus de la surface oxyde (zone orange).
Lorsqu'une tension est appliquée au liquide (zone bleue), les billes jaunes de la surface d'oxyde dans le liquide sont métallisées. Lorsqu'aucune tension n'est appliquée, il n'y a pas de mouvement ionique et la surface d'oxyde devient isolante et ne conduit donc pas les électrons.
Ces circuits peuvent être dynamiquement formés sur la surface de l'oxyde.
Avec cette avancée, la firme trouve une alternative à la conjecture de Gordon E. Moore, l’un des co-fondateurs d’Intel. Elle stipule que le nombre de transistors par pouce carré sur des circuits intégrés devrait doubler environ tous les 18 mois.
Les portées sont très nombreuses. Dans l’industrie mobile par exemple, des appareils avec une plus longue durée de vie pourront voir le jour puisque ces transistors utilisent moins d’énergie que le silicium.
Source : Document PDF IBM
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Envoyé par fregolo52
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