La technologie baptisée Phase-Change Memory (PCM) est une mémoire non volatile, qui stocke plusieurs bits de données par cellule pendant des périodes prolongées.
La mémoire PCM est très résistante. Elle peut supporter au moins 10 millions de cycles d'écriture contre 30 000 cycles pour les meilleurs produits Flash (chiffres avancés par IBM).
La mémoire PCM pourraient permettre aux ordinateurs et aux serveurs de démarrer instantanément. Elle permettrait également la création de dispositifs grand public très performants à faibles coûts.
Le véritable obstacle auquel ont dû faire face les chercheurs d'IBM est la « dérive à court terme » (short-term drift) provoquée au fil du temps par le changement de niveau de résistances stockées, conduisant à des erreurs de lecture.
Pour contourner ce problème, les chercheurs ont utilisé des techniques avancées de modulation de la résistance et en encodant les données de telle sorte que lorsqu'elles sont lues, elles peuvent corriger la dérive.
La démonstration a été faite en stockant des bits dans un sous-tableau de 200 000 cellules d'une puce PCM utilisant la technologie CMOS, gravée en 90 nanomètres.
IBM a annoncé qu'il ne produira pas lui-même ces mémoires mais qu'il accordera des licences aux constructeurs comme Samsung ou Toshiba pour une intégration de la technologie dans leurs produits.
La mémoire PCM finalisée est annoncée pour 2016.
Source : IBM
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Envoyé par Hinault Romaric
